一、核心特性
1、物理性能
密度：12.5–15.2 g/cm³（随钨含量增加而升高，如WD10080牌号达15.2 g/cm³）。
导电性：导电率27%–50% IACS（铜含量越高，导电性越优，如WD10055达49% IACS）。
耐高温性：软化温度1800–3000℃，铜蒸发吸热形成“发汗冷却”效应，降低表面温度。
机械性能：硬度70–100 HRB（如WD10080），抗拉强度350–450 MPa。
2、化学与工艺特性
热膨胀系数低（6.5–7.5×10⁻⁶/℃），匹配陶瓷/半导体材料。
抗电弧烧蚀：高温下铜相挥发吸收电弧能量，保护钨骨架结构。
加工性：支持车削、铣削、线切割等机械加工，但高钨含量（＞70%）时脆性增加。
二、制造工艺
1、粉末冶金法（主流工艺）
混粉：按比例混合钨粉（1–10μm）与铜粉。
压制成型：在200–400 MPa压力下冷压成坯。
烧结熔渗：氢气/真空环境中1200–1300℃烧结，铜液相填充钨骨架孔隙。
轧制成板：热轧（800–900℃）或冷轧后多次退火消除应力。
2、熔渗法
先制备多孔钨骨架，再熔融铜渗透填充，适用于复杂构件。
三、主要应用领域
1、高压电器
开关触头：利用耐电弧特性，用于真空灭弧室、断路器，减少烧蚀损耗。
2、航天军工
高温构件：火箭喷管喉衬、尾舵，耐受3000℃以上燃气流冲刷。
3、电加工与模具
电极材料：电火花加工电极，损耗率低，表面加工精度高。
高温模具：注塑/压铸模具镶件，抗热疲劳性能优异。
4、电子封装
热沉基板：低膨胀系数匹配半导体材料，散热效率高。
